半导体细微化（Scaling）是目前半导体行业最热门的话题之一。随着DRAM等的芯片元器件在内的大部分电子元器件和存储单元趋于超小型化，对于高度集成技术的需求也逐渐提高，超小型芯片将可以储存并快速处理天文数字般的数据量。

如今，半导体细微化（Scaling）最为核心的是新一代曝光技术——极紫外光刻（Extreme Ultra Violet，简称EUV）技术。

“摩尔定律已经终结” 半导体细微化技术陷入瓶颈

半导体细微化已进入10纳米时代，之前的“多重成像（Multi Patterning）”技术已不再奏效。因为，在10纳米级芯片制程中，之前的氟化氩曝光技术（Argon Fluoride, 简称ArF ）已经陷入瓶颈。迄今为止，半导体行业一直遵循每隔24个月芯片集成度翻一番的“摩尔定律”。然而，如今随着光刻工艺难度越来越高，曾经辉煌沿用的摩尔定律也终将被淘汰。

光刻工艺是用激光在晶圆上绘制超微电路的半导体制造流程之一，其电路图案转移到晶圆的过程与传统相片的制作过程类似，故“光刻工艺”的英文有“Photo”一词。

“光刻法（Photolithography）”是一种图案转移及复印技术，通过把光照射在包含电路图形信息并预制成金属图案的掩膜版（Mask）或原装玻璃板上，从而实现将出现的影子复制转移到晶圆上。这种在晶圆上形成预设计的图案为半导体制造的关键工艺。在此过程中，电路图案的细微程度是半导体技术竞争力的决定性因素。

“细微化（Scaling）”，即缩小半导体电路晶体管器件电门的长度的，一直被视作业界最为重要的课题。晶体管电门就如同一座连接源级和漏级的桥梁，是调节电流的阀门。因此，电门长度越短，从源极流向漏极的电子数量也就越大，电路运行速度也相应越快。

近年以来，半导体曝光设备进展迅速，均使用带有高数值孔径（numerical aperture，简称NA）的较大透镜或短波光源。但当栅极长度缩小到30纳米以下后，现有的液体浸没式氟化氩曝光设备（ArF）将会达到极限。

到18纳米的DRAM芯片采用的是多重成像技术，但这会造成工序增加、生产率下降、材料费上升的问题，从而导致成本上升。当处理工序数量多达500-600道时，可见该技术已走到了尽头。解决这一问题的唯一办法取决于短波光，利用更加“纤细的笔触”精细地绘制电路。