性能参数

条件

XO5032

频率范围                      F0

32.768KHz~133.000MHz

频率温度稳定度             F0_Tc

所有条件

见下表

工作温度范围                TOPR

见下表

工作电压 (V)                               VDD

+/-10%

+5.0

+3.3

+2.5

+1.8

工作电流 (mA)                              IDD

32.768K

-

2 Max

2 Max

1 Max

1.00M≤F0<40M

25 Max

15 Max

10 Max

10 Max

40M≤F0<70M

40 Max

20 Max

15 Max

15 Max

70M≤F0≤133M

50 Max

30 Max

20 Max

—

待机电流          Standby Current

E/D=GND

30 μA   Max

输出波形             Output Wave

TTL & CMOS

CMOS

输出负载              Output load

15pF & 50pF

15pF

E/D 控制功能                 E/D

N:固定频率,无 E/D 控制；Y:固定频率,有 E/D 控制

输出对称性                  SYM

1.4V or 1/2VDD

45%~55%

上升时间/下降时间            Tr/Tf

32.768K

50nS Max.

1.00M≤F0≤133M

5nS Max.

抖动                        Jitter

12KHz~20MHz

1pS Max.

输出电平

"0"电平       VOL

0.4V Max. or 10%VDD

"1"电平       VOH

2.4V Min. or 90%VDD

启动时间                      Ts

10mS Max.

老化率 (第 1 年)                   F0_aging

25°C±3°C

±5×10-6 Max.

储存温度范围                TSTG

-55°C~+125°C

工作温度范围

频率稳定度

O:±10×10-6

R:±25×10-6

T:±50×10-6

U:±100×10-6

A:0°C~+50°C

●

●

●

●

B:-10°C~+60°C

●

●

●

●

C:-20°C~+70°C

●

●

○

●

△G:-40°C~+85°C

●

○

●

▽Q:-40°C~+125°C

◎

◎

☆ H:-55°C~+85°C

◎

◎

☆J:-55°C~+125°C

◎

◎