性能参数

条件

XO2016

频率范围                       F0

1.5000MHz ~ 80.000MHz

频率温度稳定度              F0_Tc

所有条件

见下表

工作温度范围                 TOPR

见下表

工作电压 (V)                                 VDD

+/-10%

+3.3

+2.5

+1.8

工作电流 (mA)                               IDD

1.50M≤F0<30M

5 Max

4 Max

3 Max

30M≤F0<80M

10 Max

8 Max

6 Max

待机电流          Standby Current

E/D=GND

10 μA   Max

输出波形             Output Wave

CMOS

输出负载               Output load

15pF

E/D 控制功能                  E/D

Y:  固定频率，有 E/D 功能

输出对称性                   SYM

1.4V or 1/2VDD

45%~55%

上升时间 (nS)                                 Tr

1M≤F0<10M

3 Max

4 Max

5 Max

下降时间 (nS)                                 Tf

10M≤F0

2 Max

3 Max

4 Max

抖动                         Jitter

12KHz~20MHz

3pS Max.

输出电平

"0"电平       VOL

10%VDD

"1"电平       VOH

90%VDD

启动时间                       Ts

5mS Max.

老化率 (第 1 年)                     F0_aging

25°C±3°C

±3×10-6 Max.

储存温度范围                 TSTG

-55°C~+125°C

工作温度范围

频率稳定度

Q:±20×10-6

R:±25×10-6

T:±50×10-6

U:±100×10-6

A:0°C~+50°C

●

●

●

●

B:-10°C~+60°C

●

●

●

●

C:-20°C~+70°C

●

●

○

●

G:-40°C~+85°C

●

●

●

△Q:-40°C~+125°C

●

●

☆ H:-55°C~+85°C

◎

◎

☆J:-55°C~+125°C

◎

◎