性能参数

频率范围                       F0

标称频率(MHz)                               F0

频率精度

工作电压                     VDD

B:+5.0VDC±10%

C:+12.0VDC±10%

输入功耗

启动状态

平稳状态

输出负载

A:TTL 15pF

B:TTL 50pF

C:CMOS 15pF

D:CMOS 50pF

G:  正弦波

输出对称性

45%~55%

—

控制电压范围

频率稳定 度 相对于

温度变化

输入电压变化

负载

启动时间

上升时间/下降时间            Tr/Tf

10nS Max.

—

输出电平

"0"电平         VOL

0.4V Max.

10%VDD

>0dBm//50Ω

"1"电平         VOH

2.4V Min.

90%VDD

储存温度范围                 TSTG

老化率(工作 30 天后,  在+25°C 下)

相位噪声(10MHz 下)

1Hz

10Hz

100Hz

1KHz

10KHz

-80dBc/Hz

-120dBc/Hz

-140dBc/Hz

-145dBc/Hz

-150dBc/Hz

内部参考电压

4V±0.08(VDD=5V)

8V±0.16(VDD=12V)

斜率和线性

温度范围

频率稳定度

X:±1×10-9

Y:±2×10-9

A:±5×10-9

B:±1×10-8

D:±5×10-8

E:±1×10-7

A:0°C~+50°C

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●

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●

B:-10°C~+60°C

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C:-20°C~+70°C

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E:-40°C~+75°C

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