性能参数

条件

TC5032

频率范围                             F0

10.000MHz~50.000MHz

标称频率 (MHz)                F0

10    12.8    13    14.4    19.2    19.68    19.8    26

频率温度稳定度                F0_Tc

所有条件

见下表

工作温度         TOPR

见下表

工作电压         VDD

B:+5.0VDC±10%

A:+3.3VDC±10%

工作电流                      IDD

10M≤F0<15M

1.5mA Max.

5.0mA Max.

15M≤F0≤26M

2.0mA Max.

6.0mA Max.

26M≤F0≤40M

2.5mA Max.

8.0mA Max.

输出波形             Output Wave

H:  削峰正弦波

CMOS

输出电平              Output level

0.8V (P-P) Min.

10%VDD

90%VDD

输出负载              Output Load

10KΩ//10pF±10%

15pF

控制电压范围                Fcont

见选型指南

相位噪声              Phase noise

10MHz 下

100Hz

1KHz

10KHz

-115dBc/Hz

-135dBc/Hz

-148dBc/Hz

频 率 温 度 稳定度

相对于

工作电压变化   F0-VDD

±5%

±0.2×10-6

负载变化      F0-Load

±10%

±0.2×10-6

老化率       F0_aging

±1×10-6/年

Vc 输入阻抗                   Rin

1.0MΩ

启动时间                       Ts

2mS Max.

储存温度范围      TSTG

-55°C~+125°C

温度范围

频率稳定度

H:±0.5×10-6

I:±1.0×10-6

J:±1.5×10-6

K:±2.0×10-6

L:±2.5×10-6

N:±5.0×10-6

A:0°C~+50°C

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B:-10°C~+60°C

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C:-20°C~+70°C

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D:-30°C~+75°C

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△G:-40°C~+85°C

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